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 Publicado: Mie May 31, 2006 1:57 pm Título del mensaje: Hola, quería saber que significaba que una memoria DDR 333 t |
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Hola, quería saber que significa que una memoria DDR 333 tenga Early Ras# Precharge. Tengo 2 módulos de los cuales ninguno soporta esta característica. Muchas Gracias.
Estos son los módulos que tengo puesto:
Descripción del dispositivo
DIMM1: Nanya NT512D64SH8B0GN-6K
DIMM2: Nanya NT512D64SH8B0GN-6K
Campo Valor
Propiedades del módulo de memoria
Nombre del módulo Nanya NT512D64SH8B0GN-6K
Número de serie EECC1A6Ah
Fecha de fabricación Semana 21 / 2006
Tamaño del módulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad de memoria PC2700 (166 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltage del módulo SSTL 2.5
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Reducido (7.8 us), Self-Refresh
Tiempos de Memoria
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Funciones del módulo de memoria
Early RAS# Precharge No soportado ****************** DIFERENCIA CON LA ANTERIOR QUE TENÍA, DE 256 MB (133 MHZ)
Auto-Precharge No soportado
Precharge All No soportado
Write1/Read Burst No soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input Soportado
Redundant Row Address No soportado
Fabricante del módulo de memoria
Nombre de la empresa Nanya Technology Corp.
Información sobre el producto http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm
Campo Valor
Propiedades del módulo de memoria
Nombre del módulo Nanya NT512D64SH8B0GN-6K
Número de serie 07CD1A6Ah
Fecha de fabricación Semana 21 / 2006
Tamaño del módulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad de memoria PC2700 (166 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltage del módulo SSTL 2.5
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Reducido (7.8 us), Self-Refresh
Tiempos de Memoria
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Funciones del módulo de memoria
Early RAS# Precharge No soportado ****************** DIFERENCIA CON LA ANTERIOR QUE TENÍA, DE 256 MB (133 MHZ)
Auto-Precharge No soportado
Precharge All No soportado
Write1/Read Burst No soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input Soportado
Redundant Row Address No soportado
Fabricante del módulo de memoria
Nombre de la empresa Nanya Technology Corp.
Información sobre el producto http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm
Tb me gustaría que me dijerais si he mejorado el rendimiento del ordenador MUCHO, NORMAL O POCO. Gracias. |
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